Rambus 升级了其 DDR5 PMIC 居品线，为处事器提供了三款新址品，守旧更高的性能和容量。借助新的 Rambus PMIC 选件和高达 12V 的\"超大电流\"器件，处事工具 DDR5 DRAM 的性能将全面训诲。

Rambus 今天秘书推出全新系列的着手进 DDR5 处事器电源惩处 IC (PMIC)，包括业界当先的高性能应用极流器件。凭借这个全新的处事器 PMIC 系列，Rambus 为模块制造商提供了齐备的 DDR5 RDIMM 内存接口芯片组，守旧平庸的数据中心用例。

期间参数如下：

守旧 I2C 和 I3C 基本总线串行接口

达到或跨越扫数 JESD300-5 性能次序，I2C 最高达 1MHz，I3C 最高达 12.5MHz

奇偶校验造作查验和数据包造作查验 (PEC) 功能

守旧带内中断 (IBI)

VIN_Bulk 输入使命电压为 4.25V 至 15V

VIN_Mgmt 输入在 3V 至 3.6V 电压下使命

四个降压型开关稳压器（SWA、SWB、SWC 和 SWD）和3 个 LDO 稳压器（VBias、VOUT_1.8V、VOUT_1.0V）

写保护和可编程启动形态

I2C 总线可在 1.0V 至 3.3V 标称 I/O 电平下启动

I3C 基本总线可在 1.0V、1.1V 和 1.2V 标称 I/O 电平下启动

用于 I3C 基本总线操作的推挽式和开漏式动态驱动器切换功能

使命温度限制为 -100C 至 +1250C

35 引脚热增强 FCQFN 封装

PMIC 是 DDR5 存储器架构中的要害组件，可兑现更多的内存通说念、更大容量的模块和更高的带宽。Rambus DDR5 处事器 PMIC 系列包括相宜 JEDEC 顶点电流 (PMIC5020)、高电流 (PMIC5000) 和低电流 (PMIC5010) 次序的居品。

愚弄 DDR5 DIMM 上的 PMIC，可凭据系统建树所需的内存模块数目安宁增多电源惩处。这种电源架构的另一个上风是，它通过向模块提供 12V 高压电源，而不是从主板通过模块荟萃器向内存模块提供 1V 电压，从而大大减少了传输蚁集上的 IR 着落问题。这为 DIMM 上的明锐元件提供了更严格的电压容差，有助于兑现更高的 DDR5 性能水平忖度打算。

Rambus PMIC5020 将使异日几代 DDR5 RDIMM 的性能和容量达到新的基准全新的 Rambus 处事器 PMIC 系列与 Rambus DDR5 RCD、SPD Hub 和温度传感器 IC 一都组成了齐备的内存接口芯片组，适用于平庸的 DDR5 RDIMM 建树和用例。

Rambus DDR5 PMIC5020、PMIC5000 和 PMIC5010 现已上市。了解联系 Rambus DDR5 存储器接口芯片的更多信息，请探听https://www.rambus.com/ddr5。