三星在其最新财报中提供了关连其数据中心家具组合的最新信息，证据下一代 HBM3E、DDR5 和 V-NAND 将于第二季度推出。这家韩国巨头证明说，它正在见证东谈主工智能边界创记录的增长，并将在这一边界推出多条新家具线。

最初，已开动量产其 HBM3E\"Shinebolt\"内存，本月将最初出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存管制决策将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的家具。

据报谈，AMD 还是与三星代工场执意了条约，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现存和下一代家具，如更新的MI350/MI370 GPU，传说这些家具的内存容量皆会加多。

在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并插足量产。这些内存 IC 将用于建设高达 128 GB 的模块。三星还是向客户委用了下一代 DDR5 管制决策的首批样品。

终末，三星将在固态硬盘 V-NAND 边界推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还瞻望将于第三季度开动量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将给与 QLC（四层单位）谋略。有报谈称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开动坐褥，其传输速率将提升 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将给与最新的 PCIe Gen5 尺度。